티씨케이, 와이엠씨·와이컴과의 SiC링 특허소송 마무리

반도체 소재 및 부품 기업인 티씨케이가 와이엠씨와 와이컴을 상대로 제기한 특허침해 및 손해배상 청구 소송이 최근 상호 합의에 의해 종결되었습니다. 이로써 2020년 말부터 시작된 법적 분쟁이 4년 만에 마침표를 찍게 되었습니다. 업계에 따르면, 양사는 최종적으로 소송을 종결하기로 결정하였으며, 이는 반도체 산업 내에서 중요한 의미를 지니고 있습니다.

이번 소송은 티씨케이가 와이엠씨와 와이컴이 자사의 실리콘카바이드링(SiC링) 관련 특허를 침해했다고 주장하면서 시작되었습니다. SiC링은 반도체 식각 공정에서 필수적인 소모품으로, 제조비용 및 수율과 밀접한 관계가 있어 이 소송은 업계에서 큰 주목을 받았습니다. 와이엠씨와 와이컴은 티씨케이의 특허 2건에 대해 무효심판을 청구하며 반격을 시도했으나, 특허법원과 대법원 모두 티씨케이의 특허가 유효하다는 판결을 내렸습니다. 이로 인해 티씨케이는 소송에서 유리한 입장을 점하게 되었습니다.

특허침해금지와 손해배상청구 소송의 1심 판결은 2024년 11월에 선고될 예정이며, 서울중앙지방법원은 와이엠씨와 와이컴이 티씨케이의 특허를 침해했다고 판단했습니다. 이후 와이엠씨와 와이컴은 항소를 제기했으나, 이번 합의로 인해 소송은 원만하게 마무리되었습니다.

한편, 티씨케이는 디에스테크노와의 특허침해 소송을 계속 진행 중이며, 이와 관련하여 제3자의 침해 가능성에 대해서도 법적 검토를 진행하고 있습니다. 최근 특허심판원이 디에스테크노가 제기한 티씨케이의 ‘열팽창계수 특허’ 무효심판청구를 기각함에 따라, 티씨케이는 SiC 소재 제조의 핵심 기술인 ‘Layer 특허’와 ‘열팽창계수 특허’의 유효성을 공식적으로 인정받았습니다. 이는 향후 특허침해소송에서 티씨케이가 더욱 유리한 입지를 확보하는 데 기여할 것으로 예상됩니다.

티씨케이 관계자는 “시장 내 유사 기술을 사용하는 기업에 대해 정밀하게 모니터링하고, 지식재산권 침해 행위에 대해서는 법적 조치를 취할 것”이라며, “고유 기술의 가치를 정당하게 인정받는 문화와 건전한 기술 생태계 조성을 위해 올바른 선례를 남기겠다”고 강조했습니다.

[참조기사] https://n.news.naver.com/mnews/article/092/0002381910?sid=105


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