2026년 병오년이 다가오고 있는 가운데, SK하이닉스는 혁신적인 기술 개발에 대한 기대감을 높이고 있습니다. 이 회사는 내년을 맞이하여 다양한 이슈와 신제품들을 준비하고 있으며, 특히 D램과 낸드플래시 분야에서의 진전을 주목받고 있습니다.
먼저, SK하이닉스의 차세대 D램 기술인 10나노급 7세대(1d) D램 개발이 내년 하반기까지 완성될 것으로 보입니다. 이 제품은 선폭이 10nm 대로 줄어드는 난이도 높은 기술이 요구됩니다. 현재 1d D램의 웨이퍼 수율은 10~20%에 불과하며, 삼성전자 또한 수율 확보에 어려움을 겪고 있습니다. 이러한 기술 개발의 성공 여부는 향후 D램 시장에서의 경쟁력을 결정짓는 중요한 요소가 될 것입니다.
또한 고급 노광기인 ASML의 High-NA EUV 기기가 이천사업장에서 본격적으로 가동될 예정입니다. 이 기기는 10nm 이하의 더 정교한 제품을 제작할 수 있는 가능성을 열어줍니다. SK하이닉스는 내년에 10대 안팎의 EUV 노광기를 팹에 도입할 계획으로, 이 기기 투자만으로도 수 조원이 넘는 규모입니다. 이는 SK하이닉스가 차세대 D램 기술을 선도하기 위한 핵심 전략 중 하나입니다.
M15X 팹에서의 D램 신규 투자도 주목할 만합니다. 이는 HBM4에 대응하는 10나노급 5세대(1b) D램 중심으로 진행되며, 월 9만 장의 생산 능력을 목표로 하고 있습니다. 특히, 엔비디아의 소캠2와 관련된 10나노급 6세대(1c) D램 라인 전환도 계획되어 있어, 시장의 수요에 적극적으로 대응할 준비를 하고 있습니다.
그러나 현재 LPDDR D램에 대한 수요가 급증함에 따라, SK하이닉스는 생산과 공급을 조율하는 데에 어려움을 겪고 있습니다. 이러한 상황에서 1c D램 라인을 어떻게 운영할지가 큰 도전 과제가 될 것입니다.
중국 우시 공장에서는 2024년부터 10나노급 4세대(1a) D램 라인 전환이 진행될 예정이지만, 미국의 규제로 인해 1b D램 전환은 유의미한 진전을 보이지 않을 것으로 예상됩니다. 이로 인해 우시는 레거시 D램을 생산하는 반면, 이천과 청주는 최첨단 D램 라인을 운영하는 방식으로 전략을 세우고 있습니다.
낸드플래시 분야에서는 321단 QLC 제품의 라인 전환이 예정되어 있으며, SK하이닉스는 현재 낸드 생산 능력을 확대하고 있습니다. 시장에서의 고용량 낸드 수요가 증가함에 따라, 낸드 라인은 풀가동 상태를 유지하고 있습니다. 또한, SK하이닉스는 10세대 낸드(V10) 제품의 개발을 목표로 하며, 하이브리드 본딩 공정을 도입하여 경쟁력을 높일 계획입니다.
마지막으로, 엔비디아의 ‘스토리지 넥스트’ 프로젝트에 대응하기 위해 SK하이닉스는 AI-NP(퍼포먼스)라는 새로운 SSD 제품을 개발 중입니다. 이 제품은 기존 SSD의 정보 처리 방식에서 혁신을 가져올 것으로 기대되며, 내년 후반에 시제품이 출시될 예정입니다. SK하이닉스는 이러한 기술적 도전에 발맞춰 메모리 업계의 경쟁력을 강화하고 있으며, 다가오는 메모리 초호황 사이클에서의 성공을 위해 지속적으로 혁신을 추구하고 있습니다.
2024년은 SK하이닉스에게 많은 기회와 도전이 함께하는 해가 될 것이며, 이 회사의 기술 개발은 메모리 산업의 미래를 한층 밝게 만들 것으로 기대됩니다.
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