한화세미텍이 최근 차세대 반도체 패키징 기술인 ‘하이브리드 본더(Hybrid Bonder)’의 2세대 모델인 ‘SHB2 Nano’를 개발하고, 이를 올 상반기 중 고객사에 인도할 계획이라고 발표했다. 이번 성과는 2022년 첫 번째 모델을 납품한 이후 4년 만에 이루어진 것으로, 반도체 시장에서 큰 변화를 예고하고 있다.
하이브리드 본더 기술은 인공지능(AI)과 고대역폭 메모리(HBM) 분야에서 생산 효율과 성능을 획기적으로 향상시킬 수 있는 혁신적인 장비로 주목받고 있다. 이 기술은 칩을 구리(Cu) 표면에 직접 접합하는 방식으로, 기존의 범프(Bump) 기술을 사용하지 않기 때문에 데이터 전송 속도가 빨라지고 전력 소모도 줄어드는 장점이 있다. 특히 16~20단의 고적층 HBM을 얇은 두께로 제조할 수 있어, 차세대 반도체 시장에서의 경쟁력을 높이는 요소로 작용할 것으로 기대된다.
‘SHB2 Nano’에는 위치 오차범위 0.1μm(마이크로미터) 단위의 초정밀 정렬 기술이 적용되어 있으며, 이는 머리카락 굵기의 약 1/1000에 해당하는 수치로, 매우 정밀한 제조가 가능함을 의미한다. 한화세미텍은 이 기술을 통해 반도체 패키징 시장에서의 입지를 한층 더 강화할 계획이다.
한화세미텍의 관계자는 “첨단 기술 개발에 대한 지속적인 투자로 하이브리드 본딩의 기술적 난제를 해결하고 제품을 시장에 선보일 수 있게 됐다”며, “이번 신기술 개발로 첨단 패키징 시장의 선두주자로 나아갈 수 있는 기반이 마련됐다”고 밝혔다.
이와 함께 한화세미텍은 TC(열압착) 본더 시장에서도 긍정적인 성과를 내고 있다. 지난해 TC본더 ‘SFM5 Expert’로 900억원 이상의 매출을 기록하며, 올해 1·2월 두 차례의 공급 계약을 체결했다. 특히 작년 4분기 실적은 반도체 부문 성과 덕분에 흑자 전환을 이뤘으며, 2022년 3월 TC본더를 처음으로 납품한 이후 약 1년 만에 이룬 성과로 평가된다.
또한 한화세미텍은 차세대 HBM 장비 시장을 겨냥하여 2세대 TC본더도 개발 중이다. 올해는 본딩 헤드(head) 크기를 확대하고 칩 사이 간격을 줄인 플럭스리스(Fluxless) TC본더를 잇달아 선보일 예정이다.
지속적인 R&D 투자를 통해 신기술 개발에 대한 노력을 강화하고 있는 한화세미텍은 지난해 반도체 관련 R&D 비용을 전년 대비 50% 이상 증가시켰다. 특히, 현재 진행 중인 한화그룹의 인적 분할이 완료되면 테크 솔루션 부문이 신설 지주사 아래로 편입되어, 더욱 활발한 연구개발과 계열사 간의 시너지를 기대할 수 있을 것으로 보인다.
한화세미텍의 관계자는 “첨단 반도체 시장의 빠른 변화에 맞춰 선제적 기술 개발에 역량을 집중하고 있으며, 미래 기술에 대한 지속적인 R&D 투자와 혁신을 통해 독보적 기술력을 갖춘 고급 반도체 솔루션 기업으로 성장할 것”이라고 포부를 밝혔다.
이러한 한화세미텍의 성과는 반도체 산업의 발전을 이끄는 중요한 요소가 될 것이며, 앞으로의 행보가 기대되는 상황이다.
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